打破围堵 中国光刻机实现突破 (中国论坛)

作者: admin , 发表于: 星期五, 七月 28, 2023, 07:34 (482天前)

打破围堵 中国光刻机实现突破

大陆半导体界最近传出消息称，上海微电子预计在2023年底能将交付首台国产28奈米浸润式光刻机。图为上海微电子制造的90nm光刻机。

中国芯片被围堵，增加高端光刻机国产化的难度，但近日半导体界传出消息称，上海微电子预计在2023年底能将交付首台国产28奈米浸润式光刻机。

据《证券日报》，光刻机是半导体工业最重要的设备之一，决定著芯片的工艺水准和性能，是芯片制造中的关键设备，也是半导体产业核心中的核心。但是目前全球光刻机市场几乎被荷兰的艾斯麦(ASML)、日本的佳能和尼康垄断，其中ASML更是独佔高端极紫外光刻机(EUV)的市场份额。

EUV光刻机有超过45万个零件，零件数量是一辆F1赛车的20倍以上，制造难度超乎想像。即便是处于世界EUV光刻机制造垄断地位的ASML，大约也只生产了其中的15%，另外85%的零件需要从全球的供应链整合而来。因此，中国推进光刻机关键技术研发以提升半导体设备国产化，是当下乃至未来相当长一段时间内，既重要紧迫，同时又有很高难度的攻坚任务。

报道指出，近日有消息称，上海微电子正极力研发28奈米浸润式DUV光刻机，预计在2023年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。而去年底官方公布华为一项名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”(CN115343915A)的新专利，未来能在EUV光刻机核心技术上取得的突破性进展。另外，华中科技大学研製的OPC系统、哈尔滨工业大学研製的镭射干涉系统等，也各自有所突破。将加快推进14 奈米、7奈米甚至更低节点的光刻机研发工作。