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俄自产曝光机比ASML更猛?可生出7奈米芯片 (中国论坛)

作者: admin ⌂ @, 发表于: 星期六, 十月 22, 2022, 21:45 (764天前)

俄自产曝光机比ASML更猛?可生出7奈米芯片

全球知名硬体网站《Tom's Hardware》报道,俄罗斯科学院发豪语2028年自行研发的曝光机将问世,比 ASML 的 Twinscan NXT:2000i DUV更厉害,可生产出7奈米芯片。

《Tom's Hardware》提及台湾跟进国际制裁,对俄罗斯断供后,造成俄国芯片短缺,加以美国、英国和欧盟也祭出多项制裁,几乎所有拥有先进晶圆制造商都停止与俄罗斯实体合作,ARM 也无法将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。

为此,俄罗斯政府推出一项国家计划,靠著对外国芯片进行逆向工程,并培养当地半导体人才,希望 2030 年开发28奈米製程。

不过,碍于国际制裁,美欧半导体设备商不能供应俄罗斯,若俄国推进 28奈米製程,就必须设计和研发出国产设备。只是,像ASML 和 应材(Applied Materials) 这样的公司,得耗费几十年时间开发,更新迭代也必须在大约8年内完成。

但是,俄罗斯似乎一点也不担心,俄罗斯大诺夫哥罗德策略发展机构(Novgorod Strategy Development) 发豪语,宣称俄罗斯科学院旗下应用物理研究所将会跌破所有人眼镜,在2028年开发出可以生产7奈米芯片的曝光机,还可击败ASML同类产品,那就是ASML Twinscan NXT:2000i DUV。

俄罗斯科学院奈米结构研究所副所长 Nikolai Chkhalo 表示,全球曝光机领导者 ASML 近 20 年来一直致力于EUV 曝光机,目标是让世界顶尖半导体厂商保持极高的生产效率。但俄罗斯并不需要,只要根据俄罗斯国内的需求向前推进即可。

俄罗斯的想法似乎太过天真,报道直言,俄罗斯想在6年内研发出可支持7奈米芯片的曝光机,可行性不高,且晶圆厂并非光靠曝光机就可生产出芯片,还需要许多设备,而俄罗斯并不生产这些设备。

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